Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07

Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones.

Características principales

• Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
• Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz
• Potencia máxima de salida: 12.5 watts
• Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc
• Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado
• Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia

Especificaciones técnicas