Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

Descripción

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios

Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.

• Potencia de salida 8 Watts.
• Ganancia de potencia 11dB.
• Eficiencia- 55%.
• Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
• Excelente estabilidad térmica.
• Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
• Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.